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2024-01-06 23:30:01
rbe的计算公式
文化常识 2023-09-07 15:07:01
最近很多朋友都遇到了rbe的计算公式的问题，今天小编就来为大家解答，快来看看吧。
Rbe=300+(1+β)26/Ie，其中26为常数，单位为Mv，Ie为发射极电流，电阻的单位计算为欧姆。
Rbe=300+(1+β)26/Ie，其中26为常数，单位为Mv，Ie为发射极电流，电阻的单位计算为欧姆。
Rbe=300+(1+β)26/Ie，其中26为常数，单位为Mv，Ie为发射极电流，电阻的单位计算为欧姆。
rbe的计算公式e=rbb'+(1+β)(re+re')
做题时直接忽略Re'，所以一般用这个公式做题。
rbe=rbb'+(1+β) re
Re为发射极结电阻，与温度有关:re=VT/IEQ(T为下标，EQ为下标)，因为室温下VT=26(mV)，所以室温下rbe的计算公式为。
rbe=rbb'+(1+β)26(毫伏)/IEQ(毫安)
rbe的计算公式通常rbe的计算公式:rbe = rbb & # 39+(1+β)[26(Ma)/IEO(Ma)}]，计算晶体管的输入电阻。三极管的全称应该是半导体三极管，又称双极晶体管和晶体管，是一种控制电流的半导体器件。作用是将微弱的信号放大成大幅度的电信号，也可用作无触点开关。
三极管是半导体的基本元件之一，具有电流放大的作用，是电子电路的核心元件。三极管是由两个PN结组成的，这两个pn结在半导体衬底上靠得很近。两个PN结把整个半导体分成三部分，中间部分是基区，两边是发射极区和集电极区。排列方式为PNP和NPN。其中J型FET为非绝缘FET，MOS FET和VMOS均为绝缘FET。
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