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irf540场效应管参数

文化常识 2023-10-08 21:14:24
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irf540场效应管参数

irf540n参数列表如下:

晶体管极性:n沟道

漏极电流,Id最大值:33A

电压,Vds最大值:100V V。

导通电阻Rds(on):0.04欧姆

Rds测量时的电压:10V

电压,Vgs最大值:10V

功耗:94W

封装类型:TO-220AB

针数:3针

功率,Pd:120W

设备符号:IRF540N

引脚间距:2.54毫米

晶体管数量:1

晶体管类型:MOSFET

电流测量时的温度:25°c。

全功率温度:25°c。

与外壳a连接处的热阻:1.1癈/w

测量时电压Vgs @ Rds:10V。

电压,Vds典型值:100V V。

电流,Id连接:27A

电流,Idm脉冲:110A

阈值电压,vgs典型值:4V。


标签: 参数   效应

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