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2023-10-12 06:42:01
irf540n参数列表如下:
晶体管极性:n沟道
漏极电流,Id最大值:33A
电压,Vds最大值:100V V。
导通电阻Rds(on):0.04欧姆
Rds测量时的电压:10V
电压,Vgs最大值:10V
功耗:94W
封装类型:TO-220AB
针数:3针
功率,Pd:120W
设备符号:IRF540N
引脚间距:2.54毫米
晶体管数量:1
晶体管类型:MOSFET
电流测量时的温度:25°c。
全功率温度:25°c。
与外壳a连接处的热阻:1.1癈/w
测量时电压Vgs @ Rds:10V。
电压,Vds典型值:100V V。
电流,Id连接:27A
电流,Idm脉冲:110A
阈值电压,vgs典型值:4V。
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